CY15B064Q-SXET 사이프러스
이용할 수 있는
CY15B064Q-SXET 사이프러스
■ 8K × 8로 논리적으로 구성된 64Kbit 강유전체 랜덤 액세스 메모리(F-RAM)
❐ 고내구성 10조(1013) 읽기/쓰기
❐ 121년 데이터 보존(12페이지의 데이터 보존 및 내구성 참조)
❐ NoDelay™ 쓰기
❐ 고급 고신뢰성 강유전성 공정
■ 매우 빠른 직렬 주변기기 인터페이스(SPI)
❐ 최대 16MHz 주파수
❐ 직렬 플래시 및 EEPROM을 위한 직접 하드웨어 교체
❐ SPI 모드 0(0, 0) 및 모드 3(1, 1) 지원
■ 정교한 쓰기 보호 체계
❐ 쓰기 방지(WP) 핀을 사용한 하드웨어 보호
❐ Write Disable 명령을 사용한 소프트웨어 보호
❐ 1/4, 1/2 또는 전체 어레이에 대한 소프트웨어 블록 보호
■ 낮은 전력 소비
❐ 300명
1MHz ❐ 6에서 유효 전류
A (일반) 대기 전류 + 85 C
■ 저전압 작동: VDD = 3.0V - 3.6V
■ Automotive-E 온도: –40 C to +125 C
■ 8핀 SOIC(Small Outline Integrated Circuit) 패키지
■ AEC Q100 등급 1 준수
■ RoHS(Restriction of Hazardous Substances) 준수
■ 8K × 8로 논리적으로 구성된 64Kbit 강유전체 랜덤 액세스 메모리(F-RAM)
❐ 고내구성 10조(1013) 읽기/쓰기
❐ 121년 데이터 보존(12페이지의 데이터 보존 및 내구성 참조)
❐ NoDelay™ 쓰기
❐ 고급 고신뢰성 강유전성 공정
■ 매우 빠른 직렬 주변기기 인터페이스(SPI)
❐ 최대 16MHz 주파수
❐ 직렬 플래시 및 EEPROM을 위한 직접 하드웨어 교체
❐ SPI 모드 0(0, 0) 및 모드 3(1, 1) 지원
■ 정교한 쓰기 보호 체계
❐ 쓰기 방지(WP) 핀을 사용한 하드웨어 보호
❐ Write Disable 명령을 사용한 소프트웨어 보호
❐ 1/4, 1/2 또는 전체 어레이에 대한 소프트웨어 블록 보호
■ 낮은 전력 소비
❐ 300명
1MHz ❐ 6에서 유효 전류
A (일반) 대기 전류 + 85 C
■ 저전압 작동: VDD = 3.0V - 3.6V
■ Automotive-E 온도: –40 C to +125 C
■ 8핀 SOIC(Small Outline Integrated Circuit) 패키지
■ AEC Q100 등급 1 준수
■ RoHS(Restriction of Hazardous Substances) 준수
연락처 정보가 정확한지 확인하십시오. 당신의 메시지는 다음과 같습니다. 수취인에게 직접 전송되며 공개적으로 표시되어야 합니다. 우리는 귀하의 제품을 배포하거나 판매하지 않습니다. 개인 제3자에 대한 정보 없이 귀하의 명시적 허가.
