FDD86250 켜기
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FDD86250 켜기
기능
차폐 게이트 MOSFET 기술
최대 rDs(on)= Vcs = 10V에서 22mo, lp= 8AMax 「os(on)= 31m(Vcs = 6V)에서, lp=6.5A100% UIL 테스트
RoHS 규격 준수
일반 설명
이 N 채널 MOSFET은 FairchildSemiconductors의 고급 PowerTrench 프로세스를 사용하여 Shielded Gate 기술을 통합하여 생산됩니다. 이 프로세스는 온 상태 저항에 최적화되었지만 우수한 스위칭 성능을 유지합니다.
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차폐 게이트 MOSFET 기술
최대 rDs(on)= Vcs = 10V에서 22mo, lp= 8AMax 「os(on)= 31m(Vcs = 6V)에서, lp=6.5A100% UIL 테스트
RoHS 규격 준수
일반 설명
이 N 채널 MOSFET은 FairchildSemiconductors의 고급 PowerTrench 프로세스를 사용하여 Shielded Gate 기술을 통합하여 생산됩니다. 이 프로세스는 온 상태 저항에 최적화되었지만 우수한 스위칭 성능을 유지합니다.
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