FS32K146HFT0MLQT NXP


• 작동 특성
– 전압 범위: 2.7 V에서 5.5 V
– 주변 온도 범위: HSRUN 모드의 경우 -40 °C - 105 °C, RUN 모드의 경우 -40 °C - 150 °C
• 팔™ 피질 - M4F / M0 + 코어, 32 비트 CPU
– 최대 지원 112 MHz 주파수 (HSRUN 모드) MHz 당 1.25 드리 스톤 MIPS
– Armv7 아키텍처 및 Thumb-2® ISA를 기반으로 하는 Arm 코어
– 통합 디지털 신호 프로세서 (DSP)
– 구성 가능한 중첩 벡터 인터럽트 컨트롤러 (NVIC)
– 단정밀도 부동 소수점 단위 (FPU)
• 클럭 인터페이스
– 4 - 외부 클록 모드에서 최대 50MHz DC 외부 사각 입력 클록이 있는 4 - 50MHz 고속 외부 발진기(SOSC)
– 48 MHz 고속 내부 RC 발진기 (FIRC)
– 8 메가 헤르츠 느린 내부 RC 발진기 (SIRC)
– 128kHz 저전력 발진기 (LPO)
– 최대 112 MHz (HSRUN) 시스템 위상 잠금 루프 (SPLL)
– 최대 20 MHz TCLK 및 25 MHz SWD_CLK
– 32 kHz 실시간 카운터 외부 클럭 (RTC_CLKIN)
• 전원 관리
– 에너지 효율이 뛰어난 저전력 팔 Cortex-M4F / M0 + 코어
– 여러 전원 모드가 있는 전원 관리 컨트롤러(PMC): HSRUN, 실행, 중지, VLPR 및 VLPS.
참고: CSEc(보안) 또는 EEPROM 쓰기/지우기는 이 유스 케이스를 동시에 실행할 수 없으므로 HSRUN 모드(112MHz)에서 오류 플래그를 트리거합니다. 장치는 CSEc(보안) 또는 EEPROM 쓰기/지우기를 실행하기 위해 RUN 모드(80MHz)로 전환해야 합니다.
– 클럭 게이팅 및 저전력 작동은 특정 주변 장치에서 지원됩니다.
• 메모리 및 메모리 인터페이스
– ECC가있는 최대 2MB 프로그램 플래시 메모리
– ECC 및 EEPROM 에뮬레이션을 사용하는 데이터 플래시 메모리를 위한 64KB FlexNVM.
참고: CSEc(보안) 또는 EEPROM 쓰기/지우기는 이 활용 사례를 동시에 실행할 수 없으므로 HSRUN 모드(112MHz)에서 오류 플래그를 트리거합니다. CSEc(보안) 또는 EEPROM 쓰기/지우기를 실행하려면 장치를 RUN 모드(80MHz)로 전환해야 합니다.
– ECC를 사용하는 최대 256KB SRAM
– SRAM 또는 EEPROM 에뮬레이션으로 사용하기 위한 최대 4KB의 FlexRAM
– 최대 4KB 메모리 액세스 대기 시간의 성능 영향을 최소화하기 위한 코드 캐시
– 하이퍼버스를™ 지원하는 쿼드SPI
• 혼합 신호 아날로그
– 모듈당 최대 32개의 채널 아날로그 입력이 있는 최대 2개의 12비트 아날로그-디지털 컨버터(ADC)
– 8비트 디지털-아날로그 컨버터(DAC)가 내장된 아날로그 비교기(CMP) 1개
• 디버그 기능
– 직렬 와이어 JTAG 디버그 포트 (SWJ-DP) 결합
– 디버그 감시 및 추적(DWT)
– 계측 추적 매크로 셀 (ITM)
– 테스트 포트 인터페이스 유닛(TPIU)
– 플래시 패치 및 중단점(FPB) 장치
• 인간-기계 인터페이스(HMI)
– 인터럽트 기능이있는 최대 156 개의 GPIO 핀
– 마스크 불가능한 인터럽트 (NMI)