FS32K146HFT0MLQT NXP


• 작동 특성
– 전압 범위: 2.7 V to 5.5 V
– 주변 온도 범위: HSRUN 모드의 경우 -40 °C에서 105 °C, RUN 모드의 경우 -40 °C에서 150 °C
• Arm™ Cortex-M4F/M0+ 코어, 32비트 CPU
– MHz당 112 Dhrystone MIPS로 최대 1.25MHz 주파수(HSRUN 모드) 지원
– Armv7 아키텍처 및 Thumb-2® ISA 기반 Arm 코어
– 통합 디지털 신호 프로세서 (DSP)
– 구성 가능한 NVIC(Nested Vectored Interrupt Controller)
– 단정밀도 부동 소수점 단위(FPU)
• 클럭 인터페이스
– 외부 클럭 모드에서 최대 50 MHz DC 외부 사각형 입력 클럭이 있는 4 - 40 MHz 고속 외부 발진기(SOSC)
– 48MHz 고속 내부 RC 발진기(FIRC)
– 8MHz 느린 내부 RC 발진기(SIRC)
– 128kHz 저전력 발진기(LPO)
– 최대 112MHz(HSRUN) 시스템 위상 잠금 루프(SPLL)
– 최대 20MHz TCLK 및 25MHz SWD_CLK
– 32kHz 실시간 카운터 외부 클럭(RTC_CLKIN)
• 전원 관리
– 에너지 효율이 뛰어난 저전력 Arm Cortex-M4F/M0+ 코어
– 여러 전원 모드가 있는 PMC(전원 관리 컨트롤러): HSRUN, RUN, STOP, VLPR 및 VLPS.
참고: 이 사용 사례는 동시에 실행할 수 없으므로 CSEc(보안) 또는 EEPROM 쓰기/지우기는 HSRUN 모드(112MHz)에서 오류 플래그를 트리거합니다. CSEc(보안) 또는 EEPROM 쓰기/지우기를 실행하려면 장치를 RUN 모드(80MHz)로 전환해야 합니다.
– 클럭 게이팅 및 저전력 작동은 특정 주변 장치에서 지원됩니다.
• 메모리 및 메모리 인터페이스
– ECC가 있는 최대 2MB 프로그램 플래시 메모리
– ECC 및 EEPROM 에뮬레이션이 있는 데이터 플래시 메모리용 64KB FlexNVM.
참고: 이 사용 사례는 동시에 실행할 수 없으므로 CSEc(보안) 또는 EEPROM 쓰기/지우기는 HSRUN 모드(112MHz)에서 오류 플래그를 트리거합니다. CSEc(보안) 또는 EEPROM 쓰기/지우기를 실행하려면 장치를 RUN 모드(80MHz)로 전환해야 합니다.
– 최대 256KB SRAM(ECC 포함)
– SRAM 또는 EEPROM 에뮬레이션으로 사용하기 위한 최대 4KB의 FlexRAM
– 최대 4KB 코드 캐시로 메모리 액세스 대기 시간의 성능 영향을 최소화합니다.
– HyperBus™를 지원하는 QuadSPI
• 혼합 신호 아날로그
– 모듈당 최대 32채널 아날로그 입력이 있는 최대 2개의 12비트 아날로그-디지털 컨버터(ADC)
– 내부 8비트 디지털-아날로그 컨버터(DAC)가 있는 아날로그 비교기(CMP) 1개
• 디버그 기능
– 직렬 와이어 JTAG 디버그 포트(SWJ-DP) 결합
– 디버그 감시 점 및 추적 (DWT)
– 계측 추적 매크로셀(ITM)
– 테스트 포트 인터페이스 장치(TPIU)
– 플래시 패치 및 브레이크 포인트 (FPB) 유닛
• 인간-기계 인터페이스(HMI)
– 인터럽트 기능이 있는 최대 156개의 GPIO 핀
– NMI(Non-Maskable Interrupt)