ISL78307FBEBZ-T 르네사스
이용할 수 있는
ISL78307FBEBZ-T 르네사스
• "상시 작동" 자동차 응용 분야에 최적화
• 18μA 표준 대기 전류
• 50mA 출력 전류 보장
• 3V까지 콜드 크랭크를 통해 작동
• 40V 허용 로직 레벨(TTL/CMOS) 인에이블 입력
• 1.8μA의 표준 셧다운 전류
• 50mA에서 120mV의 낮은 드롭아웃 전압
• 고정 +3.3V, +5.0V 및 조정 가능한 출력 전압 옵션
• 10μF 출력 커패시터로 안정적인 작동
• 과열 시 전원 차단 및 전류 제한 보호
• 작동 온도 범위: -40°C에서 +125°C
• 열 성능이 향상된 8Ld 노출 패드 SOIC 패키지
• AEC-Q100 인증
• 6kV ESD HBM 정격
• 무연(RoHS 준수)
• "상시 작동" 자동차 응용 분야에 최적화
• 18μA 표준 대기 전류
• 50mA 출력 전류 보장
• 3V까지 콜드 크랭크를 통해 작동
• 40V 허용 로직 레벨(TTL/CMOS) 인에이블 입력
• 1.8μA의 표준 셧다운 전류
• 50mA에서 120mV의 낮은 드롭아웃 전압
• 고정 +3.3V, +5.0V 및 조정 가능한 출력 전압 옵션
• 10μF 출력 커패시터로 안정적인 작동
• 과열 시 전원 차단 및 전류 제한 보호
• 작동 온도 범위: -40°C에서 +125°C
• 열 성능이 향상된 8Ld 노출 패드 SOIC 패키지
• AEC-Q100 인증
• 6kV ESD HBM 정격
• 무연(RoHS 준수)
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