LM74610QDGKRQ1 TI
| 이용할 수 있는 |
LM74610QDGKRQ1 TI
• 자동차 응용 분야에 적합
• AEC-Q100 인증: – HBM ESD 분류 레벨 2 초과 – 장치 CDM ESD 분류 레벨 C4B
• 최대 역전압 45V
• 양극 단자에 대한 양의 전압 제한 없음
• 외부 N-채널 MOSFET용 차지 펌프 게이트 드라이버
• 쇼트키 다이오드/PFET 솔루션보다 낮은 전력 손실
• 낮은 역 누설 전류
• 제로 IQ
• 역극성에 대한 빠른 2μs 응답
• -40°C에서 +125°C의 작동 주변 온도
• OR-ing 어플리케이션에서 사용 가능
• CISPR25 EMI 사양 충족
• 적절한 TVS 다이오드로 자동차 ISO7637 과도 요구 사항 충족
• 피크 전류 제한 없음
• 자동차 응용 분야에 적합
• AEC-Q100 인증: – HBM ESD 분류 레벨 2 초과 – 장치 CDM ESD 분류 레벨 C4B
• 최대 역전압 45V
• 양극 단자에 대한 양의 전압 제한 없음
• 외부 N-채널 MOSFET용 차지 펌프 게이트 드라이버
• 쇼트키 다이오드/PFET 솔루션보다 낮은 전력 손실
• 낮은 역 누설 전류
• 제로 IQ
• 역극성에 대한 빠른 2μs 응답
• -40°C에서 +125°C의 작동 주변 온도
• OR-ing 어플리케이션에서 사용 가능
• CISPR25 EMI 사양 충족
• 적절한 TVS 다이오드로 자동차 ISO7637 과도 요구 사항 충족
• 피크 전류 제한 없음
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