NCD57084DR2G 켜기
| 이용할 수 있는 |
NCD57084DR2G 켜기
• 높은 피크 출력 전류(+7A/−7A)
• 향상된 IGBT 구동을 위한 낮은 출력 임피던스
• 정확한 정합을 통한 짧은 전파 지연
• 프로그래밍 가능한 지연을 통한 DESAT 보호
• DESAT를 위한 네거티브 전압(최저 −9V) 기능
• 단락 중 IGBT 게이트 클램핑
• IGBT 게이트 액티브 풀다운
• IGBT 단락 중 소프트 턴 오프
• 바이어스 유연성을 위한 엄격한 UVLO 임계값
• UVLO/DESAT(재시작) 중 부분 펄스 회피 출력
• 3.3V, 5V, 15V 로직 입력
• 2.5kVrms 갈바닉 절연
• 높은 과도 내성
• 높은 전자기 내성
• 고유한 사이트 및 제어 변경 요구 사항이 필요한 자동차 및 기타 애플리케이션을 위한 NCV 접두사; AEC−Q100 인증 및 PPAP 가능
• 이 장치는 무연, 무할로겐/무BFR이며 RoHS를 준수합니다.
• 높은 피크 출력 전류(+7A/−7A)
• 향상된 IGBT 구동을 위한 낮은 출력 임피던스
• 정확한 정합을 통한 짧은 전파 지연
• 프로그래밍 가능한 지연을 통한 DESAT 보호
• DESAT를 위한 네거티브 전압(최저 −9V) 기능
• 단락 중 IGBT 게이트 클램핑
• IGBT 게이트 액티브 풀다운
• IGBT 단락 중 소프트 턴 오프
• 바이어스 유연성을 위한 엄격한 UVLO 임계값
• UVLO/DESAT(재시작) 중 부분 펄스 회피 출력
• 3.3V, 5V, 15V 로직 입력
• 2.5kVrms 갈바닉 절연
• 높은 과도 내성
• 높은 전자기 내성
• 고유한 사이트 및 제어 변경 요구 사항이 필요한 자동차 및 기타 애플리케이션을 위한 NCV 접두사; AEC−Q100 인증 및 PPAP 가능
• 이 장치는 무연, 무할로겐/무BFR이며 RoHS를 준수합니다.
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