NCP1380DDR2G 켜기
| 이용할 수 있는 |
NCP1380DDR2G 켜기
• 유사 공진 피크 전류 모드 제어 작동
• Valley-Lockout을 통한 Valley Switching Operation for Noise-Immune Operation
• 경부하 효율을 향상시키기 위해 경부하에서 주파수 폴드백
• 조정 가능한 과출력 보호
• 자동 복구 또는 래치 내부 출력 단락 보호
• 단락 보호를 위한 고정 내부 80ms 타이머
• 과전압 및 과열 보호 결합(A 및 B 버전)
• 과전압 보호 및 브라운아웃(C 및 D 버전) 결합
• +500mA/-800mA 피크 전류 소스/싱크 기능
• 내부 온도 차단
• 직접 광커플러 연결
• 최대 28V까지 확장된 VCC 범위 작동
• 매우 낮은 무부하 대기 전력
• SO−8 패키지
• 이 장치는 Pb-free이며 RoHS를 준수합니다.
• 유사 공진 피크 전류 모드 제어 작동
• Valley-Lockout을 통한 Valley Switching Operation for Noise-Immune Operation
• 경부하 효율을 향상시키기 위해 경부하에서 주파수 폴드백
• 조정 가능한 과출력 보호
• 자동 복구 또는 래치 내부 출력 단락 보호
• 단락 보호를 위한 고정 내부 80ms 타이머
• 과전압 및 과열 보호 결합(A 및 B 버전)
• 과전압 보호 및 브라운아웃(C 및 D 버전) 결합
• +500mA/-800mA 피크 전류 소스/싱크 기능
• 내부 온도 차단
• 직접 광커플러 연결
• 최대 28V까지 확장된 VCC 범위 작동
• 매우 낮은 무부하 대기 전력
• SO−8 패키지
• 이 장치는 Pb-free이며 RoHS를 준수합니다.
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