STM32F103VET6 ST
이용할 수 있는
STM32F103VET6 ST
기능
. 코어: ArmR 32비트 CortexR-M3 CPU
-72MHz 최대 주파수, 1.25DMIPS/MHz
(Dhrystone 2.1) 0 대기 상태 메모리 액세스에서의 성능
Single-cycle multiplication and hardwaredivision (단일 사이클 곱셈 및 하드웨어분할)
. 추억
- 256 - 512KB의 플래시 메모리 - 최대 64KB의 SRAM
- 4 칩을 가진 가동 가능한 정체되는 기억 장치 관제사
고르다. 컴팩트 플래시, SRAM,
PSRAM, NOR 및 NAND 메모리
- LCD 병렬 인터페이스, 8080/6800 모드. 클럭, 리셋 및 공급 관리-2.0 - 3.6V 애플리케이션 공급 및 lOs
-POR, PDR 및 프로그래밍 가능한 전압 감지기(PVD)
-4-16MHz 크리스털 발진기
- 외부 8MHz 공장 트리밍 RC- 내부 40kHz RC(교정 포함)
교정 기능이 있는 RTC용 -32kHz 발진기. 저전력
- sieep, 정지 및 대기 모드
- RTC 및 백업 레지스터를 위한 VeAT 공급. 3×12비트, 1us A/D 컨버터(최대 21채널)
- 변환 범위 : 0-3.6v - 트리플 샘플 및 홀드 기능 - 온도 센서
. ×12비트 DIA 컨버터 2개
. DMA: 12채널 DMA 컨트롤러
- 지원 주변 장치 : 타이머, ADC, DAC,
sDIO, PS, SPI, 2C 및 USART
. 디버그 모드
-직렬 와이어 디버그(SWD) &JTAG 인터페이스- Cortex-M3 Embedded Trace Macrocell TM. 최대 112개의 고속 L/O 포트
-51/80/112 lOs, 16개의 외부에서 모두 매핑 가능
인터럽트 벡터 및 거의 모든 5V 허용
기능
. 코어: ArmR 32비트 CortexR-M3 CPU
-72MHz 최대 주파수, 1.25DMIPS/MHz
(Dhrystone 2.1) 0 대기 상태 메모리 액세스에서의 성능
Single-cycle multiplication and hardwaredivision (단일 사이클 곱셈 및 하드웨어분할)
. 추억
- 256 - 512KB의 플래시 메모리 - 최대 64KB의 SRAM
- 4 칩을 가진 가동 가능한 정체되는 기억 장치 관제사
고르다. 컴팩트 플래시, SRAM,
PSRAM, NOR 및 NAND 메모리
- LCD 병렬 인터페이스, 8080/6800 모드. 클럭, 리셋 및 공급 관리-2.0 - 3.6V 애플리케이션 공급 및 lOs
-POR, PDR 및 프로그래밍 가능한 전압 감지기(PVD)
-4-16MHz 크리스털 발진기
- 외부 8MHz 공장 트리밍 RC- 내부 40kHz RC(교정 포함)
교정 기능이 있는 RTC용 -32kHz 발진기. 저전력
- sieep, 정지 및 대기 모드
- RTC 및 백업 레지스터를 위한 VeAT 공급. 3×12비트, 1us A/D 컨버터(최대 21채널)
- 변환 범위 : 0-3.6v - 트리플 샘플 및 홀드 기능 - 온도 센서
. ×12비트 DIA 컨버터 2개
. DMA: 12채널 DMA 컨트롤러
- 지원 주변 장치 : 타이머, ADC, DAC,
sDIO, PS, SPI, 2C 및 USART
. 디버그 모드
-직렬 와이어 디버그(SWD) &JTAG 인터페이스- Cortex-M3 Embedded Trace Macrocell TM. 최대 112개의 고속 L/O 포트
-51/80/112 lOs, 16개의 외부에서 모두 매핑 가능
인터럽트 벡터 및 거의 모든 5V 허용
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