TPS51200QDRCRQ1 TI
이용할 수 있는
TPS51200QDRCRQ1 TI
1 특징 1• 자동차 애플리케이션 인증 • AEC-Q100 테스트 지침(다음과 같은 결과): – 장치 온도 등급 1: –40°C - 125°C 주변 작동 온도 – 장치 HBM ESD 분류 레벨 2 – 장치 CDM ESD 분류 레벨 C4B • 입력 전압: 2.5V 레일 및 3.3V 레일 지원 • VLDOIN 전압 범위: 1.1V - 3.5V • 싱크/소스 터미네이션 레귤레이터에 드룹 보상 포함 • 20μF의 최소 출력 커패시턴스 필요(일반적으로 3 × 10μF MLCC) 메모리 터미네이션 애플리케이션(DDR)용 • 출력 레귤레이션을 모니터링하기 위한 PGOOD • EN 입력 • REFIN 입력으로 직접 또는 저항 분배기를 통해 유연한 입력 추적 가능 • 원격 감지(VOSNS) • ±10mA 버퍼 레퍼런스(REFOUT) • 내장 소프트 스타트, UVLO 및 OCL • 과열 시 전원 차단 • DDR, DDR2 JEDEC 사양 충족; DDR3, DDR3L, 저전력 DDR3 및 DDR4 VTT 애플리케이션 지원• 노출 열 패드가 있는 VSON-10 패키지
1 특징 1• 자동차 애플리케이션 인증 • AEC-Q100 테스트 지침(다음과 같은 결과): – 장치 온도 등급 1: –40°C - 125°C 주변 작동 온도 – 장치 HBM ESD 분류 레벨 2 – 장치 CDM ESD 분류 레벨 C4B • 입력 전압: 2.5V 레일 및 3.3V 레일 지원 • VLDOIN 전압 범위: 1.1V - 3.5V • 싱크/소스 터미네이션 레귤레이터에 드룹 보상 포함 • 20μF의 최소 출력 커패시턴스 필요(일반적으로 3 × 10μF MLCC) 메모리 터미네이션 애플리케이션(DDR)용 • 출력 레귤레이션을 모니터링하기 위한 PGOOD • EN 입력 • REFIN 입력으로 직접 또는 저항 분배기를 통해 유연한 입력 추적 가능 • 원격 감지(VOSNS) • ±10mA 버퍼 레퍼런스(REFOUT) • 내장 소프트 스타트, UVLO 및 OCL • 과열 시 전원 차단 • DDR, DDR2 JEDEC 사양 충족; DDR3, DDR3L, 저전력 DDR3 및 DDR4 VTT 애플리케이션 지원• 노출 열 패드가 있는 VSON-10 패키지
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