TPS73733QDRBRQ1 TI
이용할 수 있는 |
TPS73733QDRBRQ1 TI
• 자동차 응용 분야에 적합
• AEC-Q100 인증, 다음과 같은 결과:
– 장치 온도 등급 1: –40°C - 125°C 주변 작동 온도 범위
– 장치 HBM ESD 분류 레벨 2
– Device CDM ESD 분류 레벨 C4A
• 1μF 이상의 세라믹 출력 커패시터로 안정적입니다.
• 입력 전압 범위: 2.2 V to 5.5 V
• 초저 드롭아웃 전압: 1A에서 130mV(표준)
• 1μF에 불과한 출력 커패시터에서도 탁월한 부하 과도 응답
• NMOS 토폴로지는 낮은 역 누설 전류를 제공합니다.
• 1% 초기 정확도
• 라인, 부하 및 온도에 대한 3%의 전체 정확도
• 셧다운 모드에서 20nA(일반) 미만의 대기 전류
• 고장 보호를 위한 과열 시 전원 차단 및 전류 제한
• 여러 출력 전압 버전으로 사용 가능
• 자동차 응용 분야에 적합
• AEC-Q100 인증, 다음과 같은 결과:
– 장치 온도 등급 1: –40°C - 125°C 주변 작동 온도 범위
– 장치 HBM ESD 분류 레벨 2
– Device CDM ESD 분류 레벨 C4A
• 1μF 이상의 세라믹 출력 커패시터로 안정적입니다.
• 입력 전압 범위: 2.2 V to 5.5 V
• 초저 드롭아웃 전압: 1A에서 130mV(표준)
• 1μF에 불과한 출력 커패시터에서도 탁월한 부하 과도 응답
• NMOS 토폴로지는 낮은 역 누설 전류를 제공합니다.
• 1% 초기 정확도
• 라인, 부하 및 온도에 대한 3%의 전체 정확도
• 셧다운 모드에서 20nA(일반) 미만의 대기 전류
• 고장 보호를 위한 과열 시 전원 차단 및 전류 제한
• 여러 출력 전압 버전으로 사용 가능
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