M95640-DRDW3TP/K ST
| 이용할 수 있는 |
M95640-DRDW3TP/K ST
• SPI(Serial Peripheral Interface) 버스와 호환
• 메모리 어레이
– 64Kbit(8Kbyte)의 EEPROM
– 페이지 크기 : 32 바이트
– 블록별 쓰기 보호: 1/4, 1/2 또는 전체 메모리
– 추가 쓰기 잠금 가능 페이지 (식별 페이지)
• 확장된 온도 및 전압 범위
– 최대 125°C(1.7V에서 5.5V까지의 VCC)
– 최대 145°C(2.5V에서 5.5V까지의 VCC)
• 고속 클럭 주파수
– VCC ≥ 20V의 경우 4.5MHz
– VCC ≥ 2.5V의 경우 10MHz
– VCC ≥ 1.7V의 경우 5MHz
• 노이즈 필터링을 위한 슈미트 트리거 입력
• 짧은 쓰기 주기 시간
– 4ms 이내의 바이트 쓰기
– 4ms 이내의 페이지 쓰기
• 쓰기 사이클 내구성
– 25 ° C에서 4 백만 쓰기 사이클
– 85°C에서 120만 회 쓰기 주기
– 125 °C에서 600 k 쓰기 주기
– 145 °C에서 400 k 쓰기 주기
• 데이터 보존
– 125 °C에서 50 년
– 25 °C에서 100년
• ESD 보호(인체 모델)
– 4000 볼트
•패키지
– RoHS 준수 및 무할로겐(ECOPACK2®)
• SPI(Serial Peripheral Interface) 버스와 호환
• 메모리 어레이
– 64Kbit(8Kbyte)의 EEPROM
– 페이지 크기 : 32 바이트
– 블록별 쓰기 보호: 1/4, 1/2 또는 전체 메모리
– 추가 쓰기 잠금 가능 페이지 (식별 페이지)
• 확장된 온도 및 전압 범위
– 최대 125°C(1.7V에서 5.5V까지의 VCC)
– 최대 145°C(2.5V에서 5.5V까지의 VCC)
• 고속 클럭 주파수
– VCC ≥ 20V의 경우 4.5MHz
– VCC ≥ 2.5V의 경우 10MHz
– VCC ≥ 1.7V의 경우 5MHz
• 노이즈 필터링을 위한 슈미트 트리거 입력
• 짧은 쓰기 주기 시간
– 4ms 이내의 바이트 쓰기
– 4ms 이내의 페이지 쓰기
• 쓰기 사이클 내구성
– 25 ° C에서 4 백만 쓰기 사이클
– 85°C에서 120만 회 쓰기 주기
– 125 °C에서 600 k 쓰기 주기
– 145 °C에서 400 k 쓰기 주기
• 데이터 보존
– 125 °C에서 50 년
– 25 °C에서 100년
• ESD 보호(인체 모델)
– 4000 볼트
•패키지
– RoHS 준수 및 무할로겐(ECOPACK2®)
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